ENGINEERING/Electronic Circuit for Engineering (1) 썸네일형 리스트형 [Section 1] BJT 트랜지스터 0. INTRO 트랜지스터는 1947년에 벨 연구소에서 개발되었다. 이 트랜지스터는 양극성(Bipolar)의 접합(Junction) 물질의 집합으로 양극성 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistors, BJTs) 라 불린다. 이 BJTs는 신호 잡음이 적고, 적은 전력으로 운용 가능하다는 장점을 가지고 있다. 1. 기본 용어설명 BJTs 트랜지스터에는 컬렉터(Collecter), 이미터(Emitter) 그리고 베이스(Base) 라 불리는 3개의 말단 선이 존재한다. 그리고 P형 반도체, N형 반도체를 이어 붙인 전자기 소자인 BJTs 트랜지스터는 pnp 형 트랜지스터와 npn형 트랜지스터로 나뉜다. 트랜지스터에 대한 기본적 용어로 극성(Polarity), 접합(Junction) 그.. 이전 1 다음
